これまでのDLC成膜で培ったプラズマ制御技術と無機結晶制御技術とを融合させ、合成が極めて難しいとされた様々な圧電素材の単結晶化に成功し製法を確立しました。様々な半導体プロセスに適応でき、既存多結晶材料と比較して著しく高い特性を示します。

KRYSTAL^® Waferの単結晶化技術の最大の特徴は、広いプロセスマージンであり、それを支えるキーテクノロジーが独自のバッファー層です。バッファー層が自ら形状変化することにより、基板と圧電薄膜の結晶格子のズレを補正し、残留応力の少ない単結晶化を実現させています。