真空蒸着装置（ジルコニアバッファー層成膜用装置）

真空蒸着装置

KRYSTAL® Waferの単結晶化技術のキーテクノロジーである、独自開発のジルコニアバッファー層をシリコン基板上に形成する装置をご提案＊しています。

（＊ご提案には使用条件がございます。使用条件によってご提案できない場合もございますので、詳細については別途お問合せください。お問合せ）
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真空蒸着装置（SPZ-EV40）

SPZ-EV40は弊社独自開発技術である、単結晶PZT薄膜の形成を可能にするジルコニアバッファー層をシリコン基板上に成膜することが可能にします。

真空蒸着装置外観



SPZ-EV40の主な特徴

・単結晶圧電薄膜に不可欠な下地層成膜が可能
・基板回転機構により優れた膜厚分布および再現性を実現
・搬送室予備ポートに蒸着チャンバーを増設可能
 

製品仕様

設備仕様

 

 

ユーティリティ（蒸着チャンバー1台仕様）

ユーティリティ

※蒸着材料、使用ガス、冷却水チラーは付属しておりません。

 

外形寸法図 [mm]

Machine Size





■付帯設備寸法 [mm]　（蒸着チャンバー1台仕様）
制御盤ラック ：W570×D870×H1850
電子銃電源 ：W570×D700×H1400
コンプレッサ ：W340×D580×H665
ドライポンプ ：W230×D450×H275
トランスボックス：W450×D550×H575

デスクトップPC ：W383×D321×H154
液晶モニタ(×2) ：W565×D175×H433

蒸着チャンバーを計3台まで増設した場合の例

Machine Size (additional)

 

※記載の仕様・寸法等は予告なく変更することがあります。