客戸如欲使用自己的設備進行單晶PZT成膜,我們樂意提供有關KRYSTAL^® Wafer進行成膜的参考建議。

KRYSTAL^® Wafer 是什麼？

優質的KRYSTAL^® Wafer用於壓電MEMS，通過ZrO2緩衝為各種壓電材料進行單晶化。

我們擁有在客戶設備上使用KRYSTAL^® Wafer成功進行單晶化的良好表現實績。
有關單晶薄膜成膜方法的更多資訊，請與我們聯繫。

KRYSTAL^® Wafer 產品類型

KRYSTAL Wafer 二氧化鋯或“氧化鋯”是金屬“鋯”（Zr）的氧化形式，以其高熔點而聞名。其晶體為複正方雙錐結構，歸類為P4₂/nmc空間群。這種金字塔結構沿上層材料的晶格常數變形，有助於該上層材料的單結晶。這是KRYSTAL^® Wafer單晶技術的一個關鍵。

KRYSTAL Wafer 鉑金（Pt）電阻低能容易成膜，因此常被用作壓電元件成膜的電極。根據客戶的規格要求，我們能夠提供在ZrO2上形成的鉑膜。

KRYSTAL Wafer SRO;SrRuO₃　是一種鐵磁性金屬氧化物，也是一種Ruddlesden-popper型化合物。晶體結構為鈣鈦礦結構，通過在Pt薄膜上成膜來提高薄膜的穩定性。

KRYSTAL Wafer 應用於執行器: 設計用於反向壓電效應。產品具有均衡的規格，在實現低介電常數的同時，還具有高d常數及耐電壓性。
應用於感測器: 專為壓電應用而設計。産品具有高ｃ軸方向，相對介電常數為140或更低，以改善失真產生的電荷量。

KRYSTAL Wafer 根據客戶的需求，我們提供在PZT薄膜上形成的SRO+Pt薄膜，作為頂部電極。

PZT薄膜具有優秀的特性，能夠被應用於各種用途,不過由於含有鉛的成分，從對環境和健康的影響角度來看，應用時都會受到一定的限制。
我們努力開發具有與PZT薄膜相當或有更好表現特性的無鉛材料，已經成功地使用BTO、ALN、LaNbO₃、LaTiO₃和KNN等製造了單晶壓電薄膜。