晶圆产品 (KRYSTAL® Wafer)

KRYSTAL Wafer

客戸如欲使用自己的设备进行单晶PZT成膜,我们乐意提供有关KRYSTAL® Wafer晶圆进行成膜的参考建议。

 

KRYSTAL® Wafer是什么?


优质的KRYSTAL® Wafer用于压电MEMS,通过ZrO2缓冲为各种压电材料进行单晶化

我们拥有在客户设备上使用KRYSTAL® Wafer成功进行单晶化的良好表现实绩。
有关单晶薄膜成膜方法的更多资讯,请与我们联系。

Mechanism of KRYSTAL wafer

 

 

KRYSTAL® Wafer 产品类型


  • ZrO2缓冲晶圆 (ZrO2)

KRYSTAL Wafer二氧化锆或“氧化锆”是金属“锆”(Zr)的氧化形式,以其高熔点而闻名。其晶体为复正方双锥结构,归类为P4₂/nmc空间群。这种金字塔结构沿上层材料的晶格常数变形,有助于该上层材料的单结晶。这是KRYSTAL® Wafer单晶技术的一个关键。

 

  • 底电极Pt晶圆 (Pt/ZrO2)

KRYSTAL Wafer铂金(Pt)电阻低能容易成膜,因此常被用作压电元件成膜的电极。根据客户的规格要求,我们能够提供在ZrO2上形成的铂膜。

 

  • 底电极SRO/Pt晶圆 (SRO/Pt/ZrO2)

KRYSTAL WaferSRO;SrRuO₃ 是一种铁磁性金属氧化物,也是一种Ruddlesden-popper型化合物。晶体结构为钙钛矿结构,通过在Pt薄膜上成膜来提高薄膜的稳定性。

 

  • PZT单晶晶圆 

KRYSTAL Wafer应用于执行器: 设计用于反向压电效应。产品具有均衡的规格,在实现低介电常数的同时,还具有高d常数及耐电压性。

应用于感测器: 专为压电应用而设计。产品具有高c轴方向,相对介电常数为140或更低,以改善失真产生的电荷量。

 

  • 顶电极PZT单晶晶圆

KRYSTAL Wafer根据客户的需求,我们提供在PZT薄膜上形成的SRO+Pt薄膜,作为顶部电极。
 

 

  • 无铅薄膜材料

PZT薄膜具有优秀的特性,能够被应用于各种用途,不过由于含有铅的成分,从对环境和健康的影响角度来看,应用时都会受到一定的限制。我们努力开发具有与PZT薄膜相当或有更好表现特性的无铅材料,已经成功地使用BTO、ALN、LaNbO₃、LaTiO₃和KNN等制造了单晶压电薄膜。

 

  • 基板材料: 矽基板、SOI(绝缘层上覆矽)基板

 

  • 标准基板尺寸: 6 英寸和8英寸尺寸