常见问题
常见问题 (FAQ)
关于 MEMS 加工服务
关于 KRYSTAL® Wafer产品和沉积服务
- 请问单晶PZT有什么独特的功能？
- KRYSTAL® Wafer的单晶PZT分别应用于感测器和执行器,请问它们有什么地方不同？
- 请问有没有PZT以外的单晶压电薄膜选项？
- 是否任何晶圆都能做到单晶成膜？
- 我想购买KRYSTAL® Wafer的底电极型晶圆,然后自行制作单晶压电薄膜,请问是否可行？
如有任何疑问，请随时联系我们。
关于 MEMS 加工服务
是否可以只要求特定的MEMS加工？
可以。 我们可以处理指定项目的MEMS加工,详细工程内容请参考加工列表。
请随时向我们咨询列表中未有列出的工程。
是否可以要求加工其他公司生产的PZT晶圆？
可以。 我们可以加工其他公司生产的PZT晶圆,取决于晶圆的材料和条件,请预先联络我们。
关于 KRYSTAL® Wafer 产品与成膜服务
请问单晶PZT有什么独特的功能？
单晶PZT在压电特性方面与多晶PZT有相似的性能,不过单晶PZT的介电常数却比多晶PZT低一半,能有效降低执行器应用的功耗同时,也能提高感测器应用的信噪比(S/N)。
另外,单晶PZT晶体畴壁很少,在共振时能降低损耗,增加于光学应用中的传输速率。
单晶PZT的晶体非常稳定,加上其不受环境温度影响的显著特性,在电压变化时能表现出高线性位移。
我们能按不同的应用条件,为客戸提供最合适的解决方案。
KRYSTAL® Wafer的单晶PZT分别应用于感测器和执行器,请问它们有什么地方不同？
两者同様都是PZT材料,但通过改变Zr/Ti的成分比例及在成膜过程中调整配方,便能够配合不同类型的应用需要。
例如,于执行器应用的PZT旨在降低功耗和热量。 与多晶PZT相比,电流消耗能降低约25%,这意味着PZT能更有效于驱动IC或微型化产品上发挥积极作用。
又例如,在感测器应用中,能通过增加输出电荷来改善信噪比,这有助于开发更小型及更高灵敏度的感测器。
以上都只是标准规范的示例,我们可以根据客户要求,通过利用单晶压电薄膜的特性去进行各项调整。
请问有没有PZT以外的单晶压电薄膜选项？
有的。 以下是我们迄今为止成功实现单晶化的选项：
- 金属材料：Pt, Ru, Ta, Ag, Cu
- 氧化膜电极材料: SRO, SRTO, STO
- 压电薄膜: PZT, BT, BFO, BLT, LT/LN, AlN, KNN, Ta2O5
是否任何晶圆都能做到单晶成膜？
到目前为止,我们都有在Si和SOI晶圆上成膜的实绩。
基本上,在任何矽表面的晶圆上都可以进行单晶成膜,标准的尺寸为6 和 8 英寸。 如果需要在其他尺寸的晶圆上进行单晶成膜,请与我们联系。
为SOI晶圆成膜时,可能需要根据背面氧化膜和BOX层的规格进行微调。 我们会准备好SOI晶圆,但客戸也可以使用自行准备的SOI晶圆进行单晶成膜。
如果需要在特殊晶圆上进行成膜,例如氧化膜晶圆,欢迎与我们联系。
我想购买KRYSTAL® Wafer的底电极型晶圆,然后自行制作单晶压电薄膜,请问是否可行？
可行的。 我们有收到使用底电极类型KRYSTAL® Wafer客户的反馈,成功利用自家设备实现单晶化。
我们也取得使用无铅材料例如AlN和KNN等单晶压电薄膜,成功单晶化的报告实绩。 如果客戸有任何特定的要求,我们也可以就加工条件进行咨询，欢迎与我们联络。
