全球领先的压电技术

Piezoelectric Technology

通过DLC成膜的等离子控制技术与无机晶体控制技术相结合，我们成功地将被认为极难合成的压电材料单晶化， 并建立了制造方法。 单晶技术能够应用在各种半导体加工，同时表现出比现有多晶材料更高的性能。

 

内容:

 

 

单晶薄膜的特性

我们的单晶技术关键,是通过独特的缓冲层为各种压电材料实现单晶化。 　
缓冲层自身形状的变化,能校正压电薄膜基板和晶格之间的间隙位置,从而形成残余应力最小化的单晶结构。
我们拥有先进的等离子体控制技术,能够在不改变材料成分组合下,根据各项应用进行微调。 　

我们提供的单晶压电薄膜晶圆（KRYSTAL®Wafer）,能广泛应用于各种MEMS装置。

KRYSTAL Wafer

基本结构制造的压电材料薄膜都具有以下特点：

  1. 矽(Si)底板能够不受压电薄膜厚度的影响,维持连续的单晶结构和表现。
  2. 拥有“Cube on Cube”结构,晶体结构就像多颗骰子堆叠起来都不会滚动和旋转一様。
  3. SRO压电薄膜很少出现晶体缺陷,即使在次微米（1微米以下）的厚度下也能做到可靠的表现。 这些特性不仅能应用于众所周知的压电材料PZT,也适用于BTO及其他不同的物料之上。 矽(Si)基板的标准晶向是(100),其他晶向具有以下特征。
  4. 当Si基板的晶向转换成<(110)或(111)>时,也能够延续上层薄膜以配合材料作最适切的组合。

我们能够提供平台及作出建议,以满足客户理想的组合需求。

Single Crystal

 

返回页首

 

 

KRYSTAL® Wafer PZT单晶独有特性

与一般的多晶压电薄膜比较,KRYSTAL® Wafer单晶压电薄膜表现出更优越的电气和机械特性。

Poly-Crystal vs Single-Crystal

KRYSTAL® Wafer PZT薄膜的显著特点:

  1. 单晶薄膜
  2. 成膜后能保持初始极化状态
  3. 高耐热性,回流焊接温度(450°C)下也不会去极化
  4. 与同様位移的多晶比较,介电常数低于一半以下

 

  • 提高电气和机械特性 

压电性能方向在单晶化时一致对齐,能提高电能和机械能的转换效率。
与一般多晶薄膜相比,KRYSTAL® Wafer的单晶压电薄膜能令执行器和感测器发挥出更卓越的性能表现。

test result

 

  • 提高可靠性

单晶化能改善原子之间的键合以及温度特性,提高薄膜的可靠性。
KRYSTAL® Wafer单晶压电薄膜的寿命大约是多晶PZT薄膜的100倍。

TDDB

返回页首

 

 

KRYSTAL® Wafer PZT薄膜类型

KRYSTAL® Wafer按特性的不同,提供两种规格的标准压电薄膜:

  • 感测器规格
    薄膜具有较强的c轴取向,并将介电常数降到140或更低以改善因失真而产生的电荷量。
    薄膜设计旨在匹配装置应用的压电效应。

 

  • 执行器规格
    薄膜具有高d常数,耐电压以及低介电常数的规格。
    薄膜设计旨在匹配装置应用的逆压电效应。

透过等离子控制技术,我们能按材料特性提供客制化薄膜。 根据薄膜的标准作出表现评估,为客户提供最佳的PZT解决方案。

Actuator Sensors

返回页首

 

 

KRYSTAL® Wafer 单晶成膜原理

我们拥有在客户自家设备上使用KRYSTAL® Wafer,成功实现单晶化的良好表现实绩。

Mechanism of KRYSTAL wafer

 

返回页首